Teknoloji

HBM3 Özellikleri Muhakkak Oldu: 819 GB/sn

Mikroelektronik sanayisi için standartların geliştirilmesine öncülük eden JEDEC Solid State Technology Association, High Bandwidth Memory (HBM) DRAM standardının yeni sürümünü yayınladı. JEDEC web sitesinden ulaşılabilen HBM3 standardı (JESD238), grafik sürece, yüksek performanslı bilgi süreç ve sunucular dahil olmak üzere çeşitli alanlar için daha yüksek bant genişliği ve daha düşük güç tüketimi getirecek.

Bölümdeki Micron, SK hynix, Synopsys ve NVIDIA üzere isimler HBM3 teknolojisini desteklediğini açıkladı. Böylece gelecekte yüksek performanslı HBM3 bellekler yaygınlaşmaya başlayacak. Yeni standardın sunduğu yeniliklere bakacak olursak;

HBM3 Temel Özellikleri

  • HBM2 jenerasyonunun pin başına bilgi suratını iki katına çıkarmak ve aygıt başına 819 GB/s’ye muadil 6,4 Gb/sn’ye kadar data suratları.
  • 8’den (HBM2) 16’ya çıkan bağımsız kanal sayısı. Her kanalda kullanılan iki kanalla birlikte toplam 32 kanal dayanağı.
  • 4-high, 8-high ve 12-high TSV yığınlarını destekleme ve gelecekte 16 yüksek TSV yığınına genişletme dayanağı.
  • Bellek katmanı başına 8 Gb ile 32 Gb ortasında geniş bir yoğunluk yelpazesi etkinleştiriliyor ve aygıt yoğunluklarını 4 GB (8 Gb 4-high) ila 64 GB (32 Gb 16-high) ortasında kapsanacak. Birinci jenerasyon HBM3 ürünlerin 16 Gb bellek katmanına dayanması bekleniyor.
  • Yüksek platform seviyesinde RAS (güvenilirlik, kullanılabilirlik, hizmet verilebilirlik) için pazar gereksinimini ele alan HBM3, güçlü, sembol tabanlı ECC on-die’nin yanı sıra gerçek vakitli kusur raporlama ve şeffaflık sunuyor.
  • Ana bilgisayar arayüzünde düşük salınımlı (0,4V) sinyalizasyon ve daha düşük (1,1V) çalışma voltajı kullanılarak uygunlaştırılmış güç verimliliği.

İlgili Makaleler

Bir cevap yazın

E-posta hesabınız yayımlanmayacak.

Başa dön tuşu