Teknoloji

Samsung, MRAM Tabanlı Bellek İçi Bilgi Süreç Teknolojisini Gösterdi

Samsung tarafından Manyetoresistif Rastgele Erişimli Bellek (MRAM) tabanlı dünyanın birinci bellek içi bilgi süreç teknolojisi sergilendi. Şimdiye kadar, MRAM’in öbür teknolojilere nazaran daha fazla güce aç olmasını sağlayan düşük direnç nedeniyle kullanımı zordu. Öte yandan, yeni bir makalede Samsung bu pürüzün üstesinden gelmek için çalışıyor.

Makalenin müelliflerinden Dr. Seungchul Jung, MRAM’in yararlarını ve yeni kuşak yapay zeka çip teknolojilerinde nasıl yararlı olabileceğini açıkladı:

“Bellek içi hesaplama, beyinde biyolojik anılar ağı yahut nöronların birbirine temas ettiği noktalar olan sinapslar içinde de meydana gelmesi manasında beyne benzerlik gösterir. Aslında, şu anda MRAM ağımız tarafından gerçekleştirilen hesaplamanın beyin tarafından gerçekleştirilen hesaplamadan farklı bir maksadı olsa da bu çeşit katı hal bellek ağı gelecekte beynin sinaps temasını modelleyerek beyni taklit etmek için bir platform olarak kullanılabilir. ”

Bu atılımı gerçekleştirmek için Samsung araştırmacıları, ‘geçerli toplam’ bellek içi bilgi süreç mimarisini yeni bir ‘direnç toplamı’ bellek içi bilgi süreç mimarisiyle değiştiren bir MRAM dizi yongası geliştirdiler. Bir yapay zeka bilgi süreç gösteriminde çip, elle yazılmış sayıları tanımlamada yüzde 98 doğruluk elde ederken sahnelerdeki yüzleri algılamada yüzde 93 doğruluk elde etti.

Samsung çalışma suratı, dayanıklılık ve donanımı büyük ölçekte üretme kolaylığı üzere avantajları nedeniyle MRAM’in direncini artırmakla ilgileniyor.

İlgili Makaleler

Bir cevap yazın

E-posta hesabınız yayımlanmayacak.

Başa dön tuşu